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背板TFT与使用传统氧化物和硅互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的micro-LED阵列集成，李小龙需要在键合过程或转移过程中实现高精度对准，李小龙特别是当micro-LED芯片的尺寸减小到10μm规模或者用于高分辨率显示应用时。实战视频首度©2022SpringerNatureLimiteda）在4英寸GaN/硅和2英寸GaN/蓝宝石晶片上集成MoS2TFT的micro-LED器件的光学图像（插图）。曝光c）在蓝宝石衬底上制造的具有底部发射的集成器件的示意图。
李小龙©2022SpringerNatureLimiteda）在硅衬底上制造的具有顶部发射的集成器件的示意图。该方案代表了实现异构集成的有希望的途径，实战视频首度这对于能够结合已建立的半导体技术和新兴二维材料的高性能光电子系统至关重要。
该制造方法允许将MoS2作为有源元件进行单片集成，曝光以驱动微型LED的全彩色显示。
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